GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第41 7部分： 碳化硅单晶生长装置.pdf

GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第41 7部分： 碳化硅单晶生长装置.pdf
1 范围
本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、 技术要求、 试验方法、 检验规则、 标志、 包装、 运输和贮存以及订购与供货。
本文件适用于在真空或保护气氛下， 采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。 采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。
本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置， 其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件； 不注日期的引用文件， 其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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